| 专利名称 | 一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法 | 申请号 | CN201110187549.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102290473A | 公开（授权）日 | 2011.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 窦亚楠;何悦;王涛;江作;王建禄;褚君浩 | 主分类号 | H01L31/052(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/052(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法 至一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔及损伤层的去除。本发明电池具有表面钝化效果好，背表面增强对红外光的内反射，前表面双层抗反射涂层减少表面反射，抗UV辐射性能好，光电转换效率高等优点。 |
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