| 专利名称 | 一种非金属真空腔室结构 | 申请号 | CN201110287953.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102290313A | 公开（授权）日 | 2011.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非金属真空腔室结构 至一种非金属真空腔室结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非金属真空腔室结构，属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口；进气口设置于上盖板的中心处，排气口设置于下盖板的中心处，上盖板、下盖板与腔室筒体密封连接，射频线圈设置于腔室筒体的两侧。本发明的非金属真空腔室由非金属材料制成，结构简单，密封性好，易于安装，维护方便，提高了真空腔室的真空抽速和工艺条件的可靠性。 |
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