| 专利名称 | 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 | 申请号 | CN200910200719.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101764136A | 公开（授权）日 | 2010.06.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 至一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可调节垂直栅SOI?CMOS器件沟道电流的叉指型结构，其由多个垂直栅SOI?CMOS器件并列排布而成，其中相邻的垂直栅SOI?CMOS器件的PMOS区与PMOS区相邻，NMOS区与NMOS区相邻；所有垂直栅SOICMOS器件的源区位于同一侧，漏区位于另一侧；所有垂直栅SOI?CMOS器件的栅极从侧面引出形成叉指栅极。相邻的PMOS区共用一个体电极，相邻的NMOS区共用一个体电极，所有体电极并行相连形成叉指体电极。所有源区引出的源极并行连接形成叉指源极；所有漏区引出的漏极并行连接形成叉指漏极。本发明将多个CMOS器件的栅极通过叉指型拓扑结构并联起来，相当于提高了垂直栅SOI?CMOS器件的等效栅宽，可以起到调节其沟道电流的目的。 |
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