| 专利名称 | 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法 | 申请号 | CN200810240085.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101752508A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法 至采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；蒸发或沉积金属电极材料；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极图形；沉积生长有机半导体薄膜，完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。利用本发明，对有源层的图形化工艺简单，没有增加光刻步骤，主要依靠栅介质的台阶特性实现器件隔离和有源层的图形化。另外，本方法也与成熟的光刻工艺兼容，降低了成本，有利于工业生产。 |
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