| 专利名称 | 一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法 | 申请号 | CN200810240082.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101752505A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法 至一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法。该方法在电极和栅介质层之间加一层真空蒸镀的有机半导体材料。这层半导体材料减小了下电极与有机半导体层材料之间的接触效应从而提高的性能。这层有机半导体材料可以就是有源层材料也可以是类似的有机半导体材料。它们之间的功函数接近，且电极与有源层的接触改变成一种顶电极接触方式，有效注入面积更大。利用本发明，实现了使用传统光刻工艺制作出具有顶电极结构性能的有机场效应晶体管。 |
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