| 专利名称 | 一种FinFET器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010150059.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102222693A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种FinFET器件及其制造方法 至一种FinFET器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种FinFET器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的鳍结构；以及覆盖所述衬底和鳍结构下部的功函数调谐层。本发明还提供了一种形成制造FinFET器件的方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成鳍结构；覆盖所述衬底和鳍结构的下部形成功函数调谐层。本发明避免使用高浓度的阱掺杂，通过在FinFET的鳍结构的下部的侧壁形成能够调节功函数的功函数调节层，能够使鳍中的沟道的下部的高结漏和高结电容得到抑制。 |
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