| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010147601.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102222692A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一半导体层，以及环绕所述第一半导体层形成的第二半导体层；所述第一半导体层上形成的高k栅介质层和栅极导体；所述第二半导体层上形成的源/漏区；其中，所述第一半导体层和第二半导体层的侧壁为倾斜接触。该半导体器件可以利用高迁移率的沟道区提供高输出电流和高工作速度，同时降低功耗。 |
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