| 专利名称 | 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构 | 申请号 | CN201110183267.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102222662A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰;曾传滨 | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构 至一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构。所述封装结构包括封装外壳、至少一对放电尖角和放电总线，封装外壳设置于基底上，基底上设有芯片，封装外壳上具有至少一个引脚，芯片和引脚之间电连接；每对放电尖角包括第一放电尖角和第二放电尖角，第一放电尖角设置于任一引脚上，第二放电尖角设置于放电总线上；放电总线位于使第一放电尖角和第二放电尖角一一对应设置的位置处，第一放电尖角和第二放电尖角之间具有放电间隙。本发明利用尖端放电进行静电保护的封装结构从封装层面上解决了静电保护问题，不但避免了在芯片上进行静电保护所要面对的工艺的复杂度和工艺限制问题，也使得静电保护设计不再依附于工艺，具有一定的可移植性。 |
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