| 专利名称 | 在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法 | 申请号 | CN200910236527.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102041505A | 公开（授权）日 | 2011.05.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 黄小铭;孟庆波;罗艳红;李冬梅 | 主分类号 | C23C26/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C26/00(2006.01)I;B32B7/12(2006.01)I;B32B37/26(2006.01)I | 专利有效期 | 在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法 至在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，包括：在高温下在耐高温衬底上制备FTO薄膜；通过透明粘结剂将所述FTO薄膜与低温衬底粘结在一起，得到包含有耐高温衬底、FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底的膜片；将所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底完全溶于所述化学处理液后，取出由FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底所组成的FTO透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底，且不会与所述的FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底发生反应。本发明彻底解决了在低温衬底上不能制备FTO透明导电薄膜的难题。 |
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