| 专利名称 | 一种巨磁阻阵列电流传感器 | 申请号 | CN201010560952.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102043083A | 公开（授权）日 | 2011.05.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 辛守乔;肖立业;张国民;戴少涛;邱清泉;刘怡;许熙 | 主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R19/00(2006.01)I;G01R15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种巨磁阻阵列电流传感器 至一种巨磁阻阵列电流传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种巨磁阻阵列智能电流传感器，由巨磁阻芯片子板阵列(1)、环形PCB母板(2)、8通道放大器电路(3)、8通道采样保持及A/D转换电路(4)、FPGA信号处理电路(5)构成；巨磁阻芯片子板阵列(1)由巨磁阻芯片AA005-02和两个条形的铝镍钴永磁体构成，所述的永磁体置于巨磁阻芯片AA005-02的两端，永磁体的充磁方向与巨磁阻芯片AA005-02的磁敏感方向一致；8个巨磁阻芯片子板阵列安装在环形PCB母板(2)上，所述的巨磁阻芯片输出的电压信号输入到8通道电压放大器电路(3)中，经放大后，进入8通道采样保持及A/D转换电路(4)，将模拟的电压信号转变成数字信号，再经过FPGA处理电路(5)对8路数字信号进行处理。 |
1、源头对接，价格透明
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