| 专利名称 | 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 | 申请号 | CN200910235466.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102044442A | 公开（授权）日 | 2011.05.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰;王晓磊;韩锴;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 至一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法，该方法是在MOS器件加工工艺中，在同一工艺环境中连续制备绝缘界面层和高介电常数栅介质层。利用本发明，不仅可以减少高k栅介质和界面层间由于环境污染引起的缺陷和电荷，而且还可以提高高k栅介质的质量。 |
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