| 专利名称 | 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件 | 申请号 | CN200910200721.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101777564A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件 至一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI?CMOS器件，包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区共用一个垂直栅区，所述垂直栅区与NMOS区和PMOS区位于同一平面上，垂直栅区位于NMOS区和PMOS区之间；垂直栅区与NMOS区之间隔离有栅氧化层；垂直栅区与PMOS区之间隔离有栅氧化层。本发明占用面积小，版图层数少，工艺简单，敞开的体区能够完全避免传统SOI?CMOS器件的浮体效应，并方便对寄生电阻、电容的测试。 |
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