| 专利名称 | PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法 | 申请号 | CN201010101878.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101777424A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李超;孙璟兰;孟祥建;王建禄;田莉;乔辉;张燕;李向阳 | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/14(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法 至PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔；制备PVDF有机聚合物薄膜；在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极；光刻腐蚀金属上电极；氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。本发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性，使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。 |
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