| 专利名称 | 一种负性电子束抗蚀剂曝光工艺制备超导纳米器件的方法 | 申请号 | CN201210154121.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102653392A | 公开（授权）日 | 2012.09.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张伟君;杨海方;何世坤;顾长志;邱祥冈 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种负性电子束抗蚀剂曝光工艺制备超导纳米器件的方法 至一种负性电子束抗蚀剂曝光工艺制备超导纳米器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种负性电子束抗蚀剂曝光工艺制备超导纳米器件的方法，其主要步骤包括：在超导薄膜上，旋涂HSQ抗蚀剂；前烘干；设计曝光图形；两步曝光；显影；定影；刻蚀。该方法能制备出性能稳定、线条宽度均匀，最小线条宽度可达15nm的超导纳米器件。通过设置不同区域的曝光剂量，改变相应区域曝光产物厚度，实现刻蚀后电极区无残留物，便于进行电学测量。HSQ具有优异的抗刻蚀性，宜作为硬质超导金属材料的刻蚀掩膜，能提高刻蚀的选择比。电极和器件都经过一次刻蚀后获得，两者间无接触电势差，器件成功率高。此外，在同一薄膜上曝光多个独立微型电桥，有利于提高电桥集成化、测量的效率和材料利用率，对于稀缺材料的纳米结构研究具有重要的意义。 |
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