| 专利名称 | 波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法 | 申请号 | CN201210153737.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102654458A | 公开（授权）日 | 2012.09.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 潘革波;李岩;肖燕 | 主分类号 | G01N21/55(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/55(2006.01)I | 专利有效期 | 波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法 至波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种波导型等离子体共振传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：制备带有图案的凸膜及金属墨水；使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底上，使所述柔性衬底上形成与所述图案对应的凹槽；将所述金属墨水在所述凹槽内印刷制膜。本发明方法适用于波导型等离子体共振传感器芯片的制作，且该方法工艺简单，能大面积、大规模、低成本地生产上述传感器芯片，有能力解决传感器芯片的制备需求，很好地满足目前的实际需要。 |
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