| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110053301.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102655094A | 公开（授权）日 | 2012.09.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一侧墙暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数。相应地，本发明还提供一种半导体结构。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构的可靠性。 |
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