| 专利名称 | 纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法 | 申请号 | CN201110052771.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102653414A | 公开（授权）日 | 2012.09.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘志权;李财富 | 主分类号 | C01G19/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G19/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法 至纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法，可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备，属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料，通过电子束辐照氧化的物理机制，制备出纳米晶粒的二氧化锡材料或含有二氧化锡的复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构，其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3～15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用，不同于以往的化学合成方法，制备过程简单，可控性强，可实现在微小特定区域内二氧化锡纳米材料及复合材料的制备，亦可实现含二氧化锡的特殊结构的制造，为二氧化锡材料合成和微型器件制造提供切实可行的方法，解决现有化学技术方法中存在的工艺复杂、杂质残留等问题。 |
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