| 专利名称 | 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 | 申请号 | CN201210174309.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102684069A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张冶金;渠红伟;王海玲;马绍栋;郑婉华 | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 至基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种基于倏逝场耦合及周期微结构选频混合硅单模激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底为单晶硅材料；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅波导层，该波导层制作在二氧化硅层之上，该波导层的纵向开有两条空气沟道，两条空气沟道之间为带有周期微结构的脊形条；一键合缓冲层，其制作在硅波导层上的中间，该键合缓冲层的宽度小于硅波导层的宽度，形成脊形条状，该键合缓冲层的两侧形成台面；两条状N型电极，制作在键合缓冲层两侧的台面上；一N型接触层，其制作在键合缓冲层之上；一量子阱有源区，其制作在N型接触层之上；一P型接触层，其制作在量子阱有源区之上；一P型盖层，其制作在P型接触层之上；一条状P型电极制作在P型盖层之上。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障