| 专利名称 | 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 | 申请号 | CN201210155449.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102684071A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 余力强;赵玲娟;朱洪亮;吉晨;陆丹;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 专利有效期 | 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 至可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，包括：一衬底；一n-InP缓冲层；一InGaAsP下限制层；一多量子阱有源层；一InGaAsP上限制层，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；一p-InP层；一p-InGaAsP刻蚀阻止层；一上p-InP盖层；一p-InGaAs欧姆接触层，在该p-InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p-InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段p-InGaAs欧姆接触层上的金属电极层；其中，该p-InGaAs欧姆接触层分成的四段分别对应于该双模激射半导体激光器的的四段结构：前增益区、相区、光栅区和后放大区。 |
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