| 专利名称 | 简化高阶场磁铁 | 申请号 | CN201110063391.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102686006A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 唐靖宇;郭臻 | 主分类号 | H05H7/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H7/04(2006.01)I | 专利有效期 | 简化高阶场磁铁 至简化高阶场磁铁 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种简化高阶场磁铁，涉及磁铁技术，包括磁极头、磁轭、励磁线圈；a)只设有靠近中心平面的四个磁极头；b)磁轭进行简化；c)励磁线圈的极性是根据磁场为对称的或反对称的进行设置；d)还设有两屏蔽磁铁板。本发明简化高阶场磁铁，成本低、耗电少、容易制造，对任意阶数的磁铁，根据需要都可以随意产生对称的磁场或反对称的磁场。 |
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