| 专利名称 | 具有空气桥结构发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201210180422.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683522A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 具有空气桥结构发光二极管的制作方法 至具有空气桥结构发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。 |
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