| 专利名称 | 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 | 申请号 | CN201210150154.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102684070A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 罗帅;季海铭;杨涛 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 至制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从1.3-1.7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。 |
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