| 专利名称 | 集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201110066088.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683585A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕杭炳;刘明;龙世兵;刘琦;王艳花;牛洁斌 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法 至集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成与钨栓塞部分错开的孔洞，露出一部分钨栓塞；随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光形成存储单元。本发明方法可以实现突破常规光刻工艺的器件尺寸，且有助于固定电阻存储器导电细丝的形成位置，增强器件的均一性。 |
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