| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110053469.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683281A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一栅极结构的NMOS器件和包括第二栅极结构的PMOS器件；第一应力衬里，至少形成在所述NMOS器件的第一栅极结构的两侧；第二应力衬里，至少形成在所述PMOS器件的第二栅极结构的两侧；其中，所述第一应力衬里为具有张应力的旋涂玻璃(SOG)膜，所述第二应力衬里由能够将压应力引入PMOS器件沟道中的材料形成。本发明可以在仍保持有张应变的优势的情况下降低使用同种材料例如氮化物制造双应力衬里的工艺难度，并且可降低高介电常数氮化物对器件互连延迟的影响。 |
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