| 专利名称 | 一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法 | 申请号 | CN201210165018.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683217A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;余涛;罗杰馨;伍青青;柴展 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法 至一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法，属于微电子与固体电子领域，该方法包括：在单晶硅衬底上生长一层高质量的SiO2，然后在该SiO2层上旋涂一层高聚物作为制备石墨烯的碳源；再在高聚物上淀积一层催化金属，通过高温退火，在所述SiO2层和催化金属层的交界面处形成有石墨烯；利用光刻技术及刻蚀工艺，在所述催化金属层上开窗并形成晶体管的源极和漏极；利用原子沉积系统在开窗区沉积一层高K薄膜，然后在该高K薄膜上方制备前金属栅，最后在Si衬底的背面制备金属背栅极，最终形成基于石墨烯沟道材料和高K栅介质的双栅MOSFET器件。 |
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