| 专利名称 | 光刻仿真的方法及装置 | 申请号 | CN201210126228.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102681361A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈岚;李志刚;吴玉平 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 光刻仿真的方法及装置 至光刻仿真的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种光刻仿真的方法及装置。该方法包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；对若干区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。本发明光刻仿真方法及装置中，利用区域光刻仿真数据的复用可以有效地减少复杂的仿真计算任务，在不牺牲仿真精度的条件下提高芯片整体光刻仿真速度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障