| 专利名称 | 鳍式晶体管结构及其制作方法 | 申请号 | CN200910244515.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117829A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 鳍式晶体管结构及其制作方法 至鳍式晶体管结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种鳍式晶体管结构及其制作方法。该鳍式晶体管结构包括在半导体衬底上形成的鳍，其中，该鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位通过绝缘体材料与衬底接触，而该鳍的其余部位通过体半导体材料与衬底接触。根据本发明的鳍式晶体管结构，既能保持低成本、高热传送率的优点，又能减小漏电流。 |
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