| 专利名称 | 减小半导体器件中LER的方法及半导体器件 | 申请号 | CN200910244517.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117737A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 减小半导体器件中LER的方法及半导体器件 至减小半导体器件中LER的方法及半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种减小半导体器件中LER的方法及半导体器件。具体地，根据本发明的实施例，该方法包括：对器件中特征的边缘进行离子轰击，以减小其LER。由此，可以有效减小由LER导致的器件性能恶化。 |
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