| 专利名称 | MOSFET结构及其制作方法 | 申请号 | CN200910244516.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117750A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | MOSFET结构及其制作方法 至MOSFET结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅极；形成源/漏区；对伪栅极进行选择性刻蚀，直至将要形成沟道的位置；以及在将要形成沟道的位置处外延生长沟道层，并在沟道层上形成栅极，其中，所述沟道层包括高迁移率材料。根据本发明，在形成源/漏区之后，利用高迁移率材料替换器件的沟道，从而可以有效抑制短沟道效应并提高器件性能。 |
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