| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110066371.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683209A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述帽层位于所述栅堆叠上，所述侧墙环绕所述栅堆叠和所述帽层；在暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上外延生长半导体层；在所述半导体层上形成金属接触层。通过在石墨烯层或碳纳米管层上形成半导体层，继而在所述半导体层上形成金属接触层，以替代直接利用石墨烯层或碳纳米管层材料形成金属接触层，利于形成自对准的源漏接触塞。 |
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