| 专利名称 | SOI MOS晶体管 | 申请号 | CN201210154443.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683416A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | SOI MOS晶体管 至SOI MOS晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种SOI?MOS晶体管，包括：形状连续的有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；H型或T型栅极，包括主栅部分和至少一个扩展栅部分，其中每个扩展栅部分位于主栅部分在宽度方向上的一个末端并在主栅部分的长度方向上延伸；源区和漏区，分别位于主栅部分两侧的有源区中；源端体接触区，位于源区一侧的有源区中，并由扩展栅部分与源区隔离；漏端体接触区，位于漏区一侧的有源区中，并由扩展栅部分与漏区隔离；其中，对于扩展栅部分之一的外侧具有源端体接触区和/或漏端体接触区的情况，主栅部分在该扩展栅部分的一端在宽度方向上延伸超过有源区的边界。本发明提供的SOIMOS晶体管可以更有效地抑制浮体效应，减小侧向漏电、体电阻及寄生电容。 |
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