| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN200910244133.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102110612A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过具有相对于衬底上表面凹进的侧壁的源极区、漏极区的N-FET晶体管，并且直接在该源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，从而在保证N-FET晶体管沟道改善性能的同时对沟道区施加拉应力。而后去除N-FET晶体管的栅堆叠中的伪栅极层，以使栅堆叠对沟道区的反作用力进一步减小，从而提高沟道区域的拉应力，提高载流子的迁移率，改善器件的性能。本发明能够显著改善具有较小沟道区尺寸的半导体器件的性能。 |
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