| 专利名称 | 一种形成微电子芯片间互连的方法 | 申请号 | CN201110055243.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157442A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于大全;宋崇申 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种形成微电子芯片间互连的方法 至一种形成微电子芯片间互连的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种形成微电子芯片间互连的方法，包括：第一次化学机械抛光，使所述主金属结构表面低于介质层结构表面；在所述微电子芯片表面沉积辅助金属层，在所述主金属结构位置该辅助金属层与所述主金属结构形成金属叠层结构；第二次化学机械抛光，去除所述介质层结构表面的辅助金属层；刻蚀所述介质层结构，使所述金属叠层结构接近或凸出于所述微电子芯片表面，形成待键合基片；将两块所述待键合基片表面对准，实施键合工艺，形成微电子芯片间互连。本发明利用化学机械抛光工艺的凹陷效应，以免掩模的方式，在主金属结构顶端叠加辅助金属层，降低键合工艺对温度、压力和表面平坦度的要求，提高了芯片间互连制造的可实施性和成品率。 |
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