| 专利名称 | “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 | 申请号 | CN201110027237.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157903A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 迂修;张宇;王国伟;徐应强;徐云;宋国峰 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I | 专利有效期 | “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 至“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构；步骤3：在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。 |
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