| 专利名称 | 用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法 | 申请号 | CN201010290302.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157599A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法 至用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法，其特征在于：采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构，n为自然数，2≤x≤10；制备方法包括：在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后，生长能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构。本发明的能带递变倍增区结构可以从本质上提高电子与空穴电离率差，无需外加很高的偏压，从而有利于降低器件的过剩噪声。 |
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