| 专利名称 | 一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 | 申请号 | CN201110028237.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157614A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 姚文杰;曾湘波;彭文博;刘石勇;谢小兵;王超;杨萍 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 至一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。 |
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