| 专利名称 | 半导体结构的形成方法 | 申请号 | CN201010111076.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157437A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构的形成方法 至半导体结构的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体结构的形成方法，本发明通过分开刻蚀栅极区和源/漏区，以分别形成栅极接触孔和源/漏极接触孔，避免了由于栅极和源/漏极之间的高度差造成的接触孔一并形成的困难，使得接触孔的形成变得更为容易。并且提出包含光刻和金属填充工艺的双重镶嵌法(dual?damascene?processing)，用以接触孔的刻蚀和填充，从而实现接触孔和连接接触孔的第一层金属区的形成工艺的集成。 |
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