| 专利名称 | 一种高性能半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010111086.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157379A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高性能半导体器件及其制造方法 至一种高性能半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括利用栅替代工艺，首先形成伪栅堆叠和及其侧墙，以及源极区和漏极区，对所述源极区和漏极区进行退火，而后去除伪栅堆叠，利用去除伪栅堆叠所形成的开口对衬底进行基本垂直的离子共注入和/或斜角度的离子共注入以在开口下方的衬底中形成陡峭的倒掺杂阱和/或分别在源极区和漏极区附近形成离子注入区，而后对所述器件进行退火，以激活掺杂；在所述开口中沉积栅介质层和金属栅极。从而抑制了MOSFET器件中的带-带泄漏电流和源漏结电容增加，避免源极、漏极击穿，从而提高器件性能。 |
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