| 专利名称 | 一种硅藻样品分层氟化的分析方法 | 申请号 | CN201010244436.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102156163A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 发明（设计）人 | 李铁军;李洪伟;冯连君;张福松;霍卫国 | 主分类号 | G01N27/62(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/62(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅藻样品分层氟化的分析方法 至一种硅藻样品分层氟化的分析方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种硅藻样品分层氟化的分析方法，包括：(1)将所述硅藻样品颗粒的表层氧去除掉；(2)在真空条件下，用氟化剂对去除了表层氧的硅藻样品颗粒进行完全氟化；(3)将完全氟化生成的O2转化成CO2，并将CO2进行质谱分析，以得到硅藻样品的δ18O‰值，将所述硅藻样品的表层氧去除掉的方法包括：在真空条件下，用氟化剂对硅藻样品颗粒进行预氟化，以硅藻样品颗粒中的二氧化硅计，相对于100摩尔的二氧化硅，预氟化所用氟化剂的用量为40-60摩尔。本发明提供的分析方法能够有效地将硅藻样品颗粒的表层氧去除掉，并且无需额外的设备，在有效地获得特征氧同位素信息的情况下，也大大地拓展了硅藻氧同位素分析法的应用范围。 |
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