| 专利名称 | 一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法 | 申请号 | CN200910244528.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102115024A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;惠瑜;高超群;景玉鹏 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法 至一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法，该方法利用二氟化氙作为刻蚀反应气体，超临界二氧化碳作为运载气体对硅牺牲层进行释放。二氧化碳利用其超临界态特有的性质使得二氟化氙对硅的刻蚀更加均匀，腐蚀表面的光滑度更高，刻蚀更完全。与传统的湿法释放和等离子体释放相比，该释放方法避免了湿法释放中由于搅拌或粘连对器件的损伤，可以提高整片晶圆的均匀性，反应速率较快，效率高，时间短，使XeF2刻蚀成为可行的大批量生产工艺。 |
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