| 专利名称 | 一种绝缘体上半导体及其制备方法 | 申请号 | CN201210175117.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683178A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 姜海涛;薛忠营;狄增峰;张苗;郭庆磊;戴家赟 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘体上半导体及其制备方法 至一种绝缘体上半导体及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO2层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、SixGeyCzSn1-x-y-z、III-V族等半导体材料，填充所述孔道并形成半导体层，以获得性能优异的半导体层，在所述半导体层表面键合具有第二SiO2层的第二Si衬底，然后去除所述Si衬底并去除所述SiO2，接着填充PMMA，并在所得结构的下表面键合具有第三SiO2层的第三Si衬底，退火使PMMA膨胀以剥离上述结构，该剥离工艺简单，有利于节约成本，最后进行抛光以完成所述绝缘体上半导体的制备。本发明与现有的半导体技术兼容；通过选择性外延可降低半导体层的缺陷，有利于绝缘体上半导体性能的提高；通过PMMA退火膨胀剥离的工艺简单，有利于节约成本。本发明适用于工业生产。 |
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