| 专利名称 | 集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201110066086.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102683584A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕杭炳;刘明;龙世兵;刘琦;王艳花;牛洁斌 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法 至集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法。该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成第一层金属布线沟槽，露出钨栓塞；随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光一步形成存储单元及第一层金属布线。本发明方法工艺简便，在标准工艺的基础上不需要额外增加光照步骤，成本低，效果好。 |
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