| 专利名称 | 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201010561021.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102115878A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 发明（设计）人 | 刘键;饶志鹏;夏洋;石莎莉 | 主分类号 | C23C16/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 至一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述卤代反应停止后，再通入氨气继续进行胺化反应，所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代；所述胺化反应结束后，硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳薄膜的生长，且制得的氮化碳薄膜结构完整。 |
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