| 专利名称 | 晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN200910249095.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117831A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管及其制造方法 至晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明为一种晶体管，其包括具有沟道区的基底；位于该基底沟道区两端的源区和漏区；界于所述源区和漏区之间的该沟道区上方基底顶层的栅极高K介质层；位于该栅极高K介质层下面的界面层，该界面层第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，且第一部分的等效氧化层厚度大于第二层。非对称替代的金属栅形成非对称界面层，在漏极侧较薄而在源极侧较厚。在较薄的漏极侧，短沟道效应比较重要，非对称的界面层有利于控制短沟道效应；在较厚的源极侧，载流子迁移率对器件影响较大，非对称的界面层可以避免载流子迁移速率下降。此外，非对称替代的金属栅也可以形成非对称的金属功函数。 |
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