| 专利名称 | 一种存储器读出电路 | 申请号 | CN200910244518.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117644A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;柳江;刘明 | 主分类号 | G11C7/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C7/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种存储器读出电路 至一种存储器读出电路 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种存储器读出电路，包括偏置电路、预充电路、译码电路、存储阵列、钳位电路、第一晶体管、第二晶体管、比较器、电流倍增电路、电流参考电路和电流源电路；其中，偏置电路与电流源电路串联，译码电路与存储阵列串联后与所述预充电路并联形成第一节点，钳位电路与第一晶体管串联后连接到第一节点；电流参考电路与第二晶体管并联形成第二节点；电流倍增电路的输入端连接于第一晶体管和第二晶体管的栅极，输出端连接于比较器的输入端。利用本发明，解决了传统读出电路中钳位管限制预充电流的瓶颈，加快了预充速度，实现了低电源电压下高速、低损耗预充的目的，提高了低阈值窗口下的感应速度。 |
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