| 专利名称 | 一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法 | 申请号 | CN201110061444.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102681335A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李海亮;谢常青;牛洁斌;朱效立;史丽娜;刘明 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法 至一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶，并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英，可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。 |
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