| 专利名称 | 高性能半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN200910243851.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102110609A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 高性能半导体器件及其形成方法 至高性能半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行反转Halo离子注入以形成反转Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行反转Halo离子注入，以在器件的沟道中形成反转Halo离子注入区；而后进行退火，以激活反转Halo离子注入区的掺杂；最后根据制造工艺的要求对器件进行后续加工。通过本发明能够避免反转Halo离子注入对栅堆叠的劣化，使得反转Halo离子注入能够应用于金属栅堆叠器件中，同时能够很好地降低和控制短沟道效应，从而提高器件性能。 |
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