| 专利名称 | 具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 | 申请号 | CN200910244132.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102110611A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 至具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 通过直接在NMOS的源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，例如钨，从而对NMOS器件的沟道区施加拉应力。而后去除所述NMOS器件的栅堆叠中的伪栅极层，以使栅堆叠对沟道区的反作用力进一步减小，从而提高沟道区域的拉应力，提高载流子的迁移率，改善器件的性能。本发明避免采用单独的应力层来改善NMOS器件沟道区的拉应力，有利地简化了器件制造工艺，同时改善了器件的尺寸和性能。 |
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