| 专利名称 | 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 | 申请号 | CN201010595707.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102110595A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;彭红玲;渠宏伟;马绍栋 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 至一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。 |
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