| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN200910244134.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102110651A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，所述方法在形成栅堆叠后，在PMOS栅堆叠的侧壁形成第二侧墙缓冲层，所述第二侧墙缓冲层由疏松的低k介质材料形成；而后形成器件的侧墙及源漏/halo区和源、漏极区；而后在氧环境中高温退火，以使氧气环境中的氧气通过所述第二侧墙缓冲层扩散到所述第二栅堆叠的高k栅介质层中。通过本发明不仅降低PMOS的阈值电压，且不影响NMOS器件的阈值电压，而且还可以避免传统工艺去除PMOS侧墙时对栅极及衬底的损伤，从而有效提高器件的整体性能。 |
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